Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2020
Идентификатор DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.146736
Ключевые слова: Annealing, Epitaxial films, Fe3Si, MD simulation, Sputtering, Atoms, Buffer layers, Deposition rates, Iron, Iron compounds, Molecular dynamics, Silicides, Silicon, Substrates, Silicon substrates, Silicon surfaces, Stoichiometric compositions, Structure formations, Substrate temperature, Temperature growth, Temperature increase, Theoretical modeling, Crystal atomic structure
Издание
Журнал: Applied Surface Science
Выпуск журнала: Vol. 527
Номера страниц: 146736
ISSN журнала: 11694332
Издатель: Elsevier B.V.
Персоны
- Chepkasov I.V (Skolkovo Inst Sci & Technol, 30,Bld 1 Bolshoy Blvd, Moscow 121205, Russia; Katanov Khakas State Univ, 90 Lenin Pr, Abakan 655017, Russia)
- Baidyshev V.S. (Katanov Khakas State Univ, 90 Lenin Pr, Abakan 655017, Russia)
- Sukhanova E.V (Natl Res Univ, Moscow Inst Phys & Technol, 9 Inst Skiy Per, Dolgoprudnyi 141701, Moscow Region, Russia; RAS, Emanuel Inst Biochem Phys, Moscow 199339, Russia)
- Visotin M.A. (Fed Res Ctr KSC SB RAS, Kirensky Inst Phys, 50-38 Akademgorodok, Krasnoyarsk 660036, Russia; Siberian Fed Univ, 79 Svobodny Pr, Krasnoyarsk 660041, Russia)
- Sule P. (EK MFA, Dept Nanostruct, Budapest, Hungary)
- Popov Z.I (RAS, Emanuel Inst Biochem Phys, Moscow 199339, Russia; Natl Univ Sci & Technol MiSiS, 4 Leninskiy Pr, Moscow 119049, Russia; Plekhanov Russian Univ Econ, 36 Stremyanny Per, Moscow 199339, Russia)
Вхождение в базы данных
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.