Сибирский федеральный университет

Перевод названия: SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF EPITAXIAL MN5GE3 THIN FILMS ON A SILICON SUBSTRATE

Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Конференция: РЕШЕТНЕВСКИЕ ЧТЕНИЯ; Красноярск; Красноярск

Год издания: 2022

Ключевые слова: thin films, molecular beam epitaxy, ferromagnetic resonance, тонкие пленки, молекулярно-лучевая эпитаксия, ферромагнитный резонанс

Аннотация: Нами были синтезированы эпитаксиальные тонкие пленки Mn5Ge3 на подложке Si(111). Были сняты спектры ферромагнитного резонанса в диапазоне температур от 110 K до 330 K. Данные материалы перспективны для применения в электронике, в том числе ракетно-космической. The Mn5Ge3 epitaxial thin films on a Si(111) substrate were synthesized. Ferromagnetic resonance spectra were measured in the temperature range from 110 K to 330 K. These materials are promising for use in electronics, including rocket and space.

Журнал: РЕШЕТНЕВСКИЕ ЧТЕНИЯ

Выпуск журнала: Часть 1

Номера страниц: 644-645

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева"

• Бондарев М. А. (Сибирский федеральный университет)
• Рауцкий М. В. (Сибирский федеральный университет)
• Тарасов А. С. (Институт физики имени Л. В. Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН)
• Яковлев И. А. (Институт физики имени Л. В. Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН)

• РИНЦ (eLIBRARY.RU)