Сибирский федеральный университет

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2022

Идентификатор DOI: 10.31857/S1234567822170098

Аннотация: Рассматривается вопрос о возможности роста и магнитных свойствах тонких пленок MAX-фазы Mn2GaC на подложках Al2O3 различной ориентации. В рамках геометрического подхода спрогнозированы наиболее предпочтительные ориентационные соотношения и интерфейсные плоскости в системе Mn2GaC//Al2 O3, указывающие на возможность роста на подложках сапфира С-срез (0001), S-срез(01¯1¯1), N-срез (11¯2¯3), и R-срез (0¯11¯2). С помощью метода функционала электронной плотности рассчитаны возможные магнитные свойства сплошных ультратонких пленок Mn2GaC при условии сохранения однородных растяжений/сжатий решетки MAX-фазы,вызванных ростом на предсказанных подложках: определено влияние деформации решетки Mn2GaC на магнитное упорядочение и величины магнитных моментов, оценена возможность перехода из антиферромагнитного состояния в ферромагнитное под действием внешних магнитных полей. Показано, что рост ферромагнитной пленки MAX-фазы Mn2GaC наиболее вероятен на подложках Al2O3(0001), Al2O3(11¯2¯3) и Al2O3(0¯112¯).

Журнал: Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

Выпуск журнала: Т. 116, № 5-6

Номера страниц: 318-323

ISSN журнала: 0370274X

Место издания: Москва

Издатель: Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, Российская академия наук

• Высотин М. А. (Сибирский федеральный университет)
• Тарасов И. А. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН)
• Федоров А. С. (Сибирский федеральный университет)
• Варнаков С. Н. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН)
• Овчинников С. Г. (Сибирский федеральный университет)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК