Умножитель частоты на тонкой магнитной пленке : патент на изобретение | Научно-инновационный портал СФУ

Умножитель частоты на тонкой магнитной пленке : патент на изобретение

Тип публикации: патент

Год издания: 2021

Аннотация: Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для умножения частоты СВЧ сигналов в системах связи, радиолокации, радионавигации, различной измерительной и специальной радиоаппаратуре. Техническим результатом изобретения является повышение коэффициента преобразования устройства при сохранении радиационной стойкости. Умножитель частоты на тонкой магнитной пленке содержит заземленный с одного края нерегулярный четвертьволновый резонатор. Размеры проводников резонатора подобраны таким образом, что резонансная частота его второй моды колебаний ровно в два раза превышает резонансную частоту первой моды колебаний, а резонансная частота третьей моды не кратна резонансной частоте первой моды колебаний. Тонкая магнитная пленка помещается между полосковыми проводниками резонатора и заземленным основанием вблизи короткозамкнутой части резонатора. 4 ил.<br> FIELD: ultra-high frequencies equipment. <br> SUBSTANCE: invention relates to the ultra-high frequencies equipment of and is intended for multiplying the frequency of microwave signals in communication, radar, radio navigation, various measuring and special radio equipment systems. The frequency multiplier on a thin magnetic film contains an irregular quarter-wave resonator grounded from one edge. The dimensions of the resonator conductors are selected in such a way that the resonant frequency of its second mode of oscillation is exactly twice the resonant frequency of the first mode of oscillation, and the resonant frequency of the third mode is not a multiple of the resonant frequency of the first mode of oscillation. A thin magnetic film is placed between the strip conductors of the resonator and the grounded base near the short-circuited part of the resonator.<br> EFFECT: increase in the conversion coefficient of the device while maintaining radiation resistance. <br> 1 cl, 4 dwg<br>

Ссылки на полный текст

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.