МОДЕЛИРОВАНИЕ СЕЧЕНИЯ НЕУПРУГОГО РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ФУНКЦИЙ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ СПЕКТРОВ ПЛЁНКИ И ПОДЛОЖКИ : научное издание | Научно-инновационный портал СФУ

МОДЕЛИРОВАНИЕ СЕЧЕНИЯ НЕУПРУГОГО РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ФУНКЦИЙ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ СПЕКТРОВ ПЛЁНКИ И ПОДЛОЖКИ : научное издание

Перевод названия: SIMULATING THE CROSS SECTION OF INELASTIC SCATTERING OF ELECTRONS IN LAYERED STRUCTURES ON THE BASIS OF DIELECTRIC FUNCTIONS AND EXPERIMENTAL SPECTRA OF THE FILM AND SUBSTRATE

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2015

Ключевые слова: electron spectroscopy, cross section of inelastic scattering of reflected electrons, mean free path of an electron, электронная спектроскопия, сечение неупругого рассеяния отражённых электронов, длина свободного пробега электрона

Аннотация: Представлена методика моделирования сечения неупругого рассеяния электронов в слоистых структурах из экспериментальных спектров сечения неупругого рассеяния отражённых электронов компонентов структур на основе теоретической модели Юберо - Тоугаарда сечения неупругого рассеяния в однородной среде и её обобщения на случай слоистых структур. Методика апробирована на примере исследования спектров сечения неупругого рассеяния в двухслойной структуре SiO 2/Si. This paper describes a technique of simulating the cross section of inelastic scattering of electrons in layered structures from the experimental spectra of the cross section of inelastic scattering of reflected electrons of structural components on the basis of the theoretical Yubero - Tougaard model of the cross section of inelastic scattering in a homogeneous medium and its generalization for the case of layered structures. This technique is tested by an example of studying the spectra of the cross section of inelastic scattering in a two-layer SiO 2/Si structure.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Автометрия

Выпуск журнала: Т. 51, 4

Номера страниц: 114-120

ISSN журнала: 03207102

Место издания: Новосибирск

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Издательство Сибирского отделения Российской академии наук

Авторы

  • Паршин Анатолий Сергеевич (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М. Ф. Решетнёва)
  • Кущенков Станислав Александрович (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М. Ф. Решетнёва)
  • Пчеляков Олег Петрович (Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН)
  • Михлин Юрий Леонидович (Институт химии и химической технологии СО РАН)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.