Calculating the energy of vacancies and adatoms in a hexagonal SiC monolayer

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2012

Идентификатор DOI: 10.1134/S0036024412070138

Ключевые слова: silicon carbide, defects, adatoms, density functional method, Adatoms, Defects, Density functional method, Silicon carbide, Carbon ad-atoms, Density-functional methods, Homoepitaxial growth, Low qualities, Material property, Structural defect, Adatoms, Defects, Epitaxial growth, Monolayers, Vacancies, Silicon carbide

Аннотация: It is noted that the development of semiconductor SiC-electronics is prevented by a low quality of grown silicon carbide single crystals. It is found that structural defects of a substrate penetrating into an epitaxial layer upon subsequent homoepitaxial growth can considerably degrade a device's characteristics. We investigate the effect of the deformation of a hexagonal SiC monolayer on vacancy stability and material properties, and study the processes of silicon and carbon adatom migration over a surface of SiC.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: RUSSIAN JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A

Выпуск журнала: Vol. 86, Is. 7

Номера страниц: 1091-1095

ISSN журнала: 00360244

Место издания: NEW YORK

Издатель: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER

Авторы

  • Kuzubov A.A. (Siberian State Technological University)
  • Eliseeva N.S. (Siberian Federal University)
  • Tomilin F.N. (Kirensky Institute of Physics,Siberian Branch,Russian Academy of Sciences)
  • Tolstaya A.V. (Siberian Federal University)
  • Krasnov P.O. (Siberian State Technological University)
  • Fedorov A.S. (Kirensky Institute of Physics,Siberian Branch,Russian Academy of Sciences)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.