Influence of metal magnetic state and metal-insulator-semiconductor structure composition on magnetoimpedance effect caused by interface states | Научно-инновационный портал СФУ

Influence of metal magnetic state and metal-insulator-semiconductor structure composition on magnetoimpedance effect caused by interface states

Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Конференция: International Multidisciplinary Scientific Geoconference; Albena; Albena

Год издания: 2019

Идентификатор DOI: 10.1016/j.tsf.2018.12.026

Ключевые слова: Bioluminescence, Digital storage, Soils, Systems analysis, Ecological state, Enzymatic analysis, Model driven development, Primary data, Scientific researches, Data handling, Magnetoimpedance, Metal/insulator/semiconductor structures, Nanosized semiconductors, Spintronics

Аннотация: Carrying out scientific experiments and field observations requires systematization, coordinated storage and possibility of online analytical processing of primary data to obtain consistent results and to discovery new knowledge. The article presents an a This article presents the results of a study of the transport properties of metal/insulator/semiconductor (MIS) hybrid structures in alternating current (ac) mode. We prepared a series of samples with different layers of metal, insulator, and semiconducto

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Thin Solid Films

Выпуск журнала: Vol. 671

Номера страниц: 18-21

ISSN журнала: 13142704

Издатель: International Multidisciplinary Scientific Geoconference

Авторы

  • Smolyakov D.A. (Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia)
  • Tarasov A.S. (Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia; Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, RussiaArticle)
  • Yakovlev I.A. (Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia; Siberian State Univ Sci & Technol, Krasnoyarsk 660014, Russia)
  • Masyugin A.N. (Siberian State Univ Sci & Technol, Krasnoyarsk 660014, Russia)
  • Volochaev M.N. (Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia; Siberian State Univ Sci & Technol, Krasnoyarsk 660014, Russia)
  • Bondarev I.A. (Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia; Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, RussiaArticle)
  • Kosyrev N.N. (Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia)
  • Volkov N.V. (Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.