Metallic beta-phase silicon nanowires: Structure and electronic properties

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2010

Идентификатор DOI: 10.1134/S0021364010170170

Аннотация: Electronic band structure and energetic stability of two types of aOE (c) 110 > and aOE (c) 001 > oriented silicon nanowires in beta-Sn phase with the surface terminated by hydrogen atoms were studied using density functional theory. It was found that beta-Sn nanowires are metastable with zero band gap against to nanowires in diamond phase. The relative energy of the studied wires tends to the energy of the bulk silicon crystal in beta-Sn phase.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: JETP LETTERS

Выпуск журнала: Vol. 92, Is. 5

Номера страниц: 352-355

ISSN журнала: 00213640

Место издания: NEW YORK

Издатель: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER

Персоны

Sorokin P.B. (Emanuel Institute of Biochemical Physics,Russian Academy of Sciences)
Avramov P.V. (Advanced Science Research Center,Japan Atomic Energy Agency)
Demin V.A. (Siberian Federal University)
Chernozatonskii L.A. (Emanuel Institute of Biochemical Physics,Russian Academy of Sciences)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.