КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ h-BN | Научно-инновационный портал СФУ

КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ h-BN

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2010

Аннотация: В работе изучена зависимость энергии вакансий от относительного изменения объема пластины. Исследовано влияние присутствия дефектов на электронную структуру соединения h-BN. Проведено сравнение зависимостей плотностей состояний от относительного изменения объема пластины и определена ширина запрещенной зоны.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: В мире научных открытий

Выпуск журнала: 4-15

Номера страниц: 31-32

ISSN журнала: 20720831

Место издания: Красноярск

Издатель: Общество с ограниченной ответственностью Научно-инновационный центр

Персоны

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.