Сибирский федеральный университет

Перевод названия: Defect FORMATION in zinc sulfide

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Ключевые слова: сульфид цинка, полупроводниковые материалы, просвечивающая электронная микроскопия, zinc sulfide, semiconductor materials, transmission electron microscopy

Аннотация: Рассмотрены особенности дефектообразования в сульфиде цинка (ZnS), который используется для создания люминофоров, полупроводниковых лазеров, а также для детекторов регистрации ионизирующего излучения. Однако данный материал имеет невысокое значение энергии дефекта упаковки (ЭДУ), что говорит о быстром росте дефектной сети и деградации материала при работе в неблагоприятных условиях. The structural defect formation in zinc sulfide (ZnS) used to create luminophores, semiconductor lasers and detectors for registration of ionizing radiation are discussed. However this material has a low value of the stacking fault energy (SFE) and indicates the rapid growth of the defect network and material degradation when operating in adverse conditions

Журнал: Актуальные проблемы авиации и космонавтики

Выпуск журнала: Т. 1, № 12

Номера страниц: 325-326

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

• Мозжерин А.В. (Сибирский федеральный университет)

• РИНЦ (eLIBRARY.RU)