РАСЧЕТ ЭНЕРГИИ ВАКАНСИЙ И АДАТОМОВ В МОНОСЛОЕ ГЕКСАГОНАЛЬНОГО SiC

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2012

Аннотация: Отмечено, что развитию полупроводниковой SiC-электроники препятствует низкое качество выращиваемых монокристаллов карбида кремния. Установлено, что структурные дефекты подложки, проникающие при последующем гомоэпитаксиальном росте в эпитаксиальный слой, способны значительно ухудшить характеристики приборов. Проведено исследование влияния деформации монослоя гексагонального SiC на стабильность вакансий и свойства материала, а также изучение процессов миграции адатомов кремния и углерода по поверхности SiC.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал физической химии

Выпуск журнала: Т.86, 7

Номера страниц: 1207

ISSN журнала: 00444537

Место издания: Москва

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"

Авторы

  • Кузубов А.А. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
  • Елисеева Н.С. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
  • Краснов П.О. (Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики им. Л.В. Киренского, Красноярск)
  • Томилин Ф.Н. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
  • Федоров А.С. (Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики им. Л.В. Киренского, Красноярск)
  • Толстая А.В. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.