Магнитосопротивление пористого поликристаллического ВТСП: влияние транспортного тока на сжатие магнитного потока в межгранульной среде

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2014

Аннотация: Гистерезисные зависимости магнитосопротивления пористого (38% от теоретической плотности) гранулярного ВТСП Bi1.8Pb0.3Sr1.9Ca2Cu3Ox проанализированы в модели эффективного межгранульного поля. Это эффективное поле определяется суперпозицией внешнего поля и поля, индуцированного магнитными моментами сверхпроводящих гранул. Сжатие магнитного потока в межгранульной среде, характеризуемое величиной эффективного поля, определяет гистерезисное поведение магнитосопротивления. Обнаружено, что ширина гистерезиса магнитосопротивления для исследованного пористого ВТСП зависит от величины транспортного тока, в отличие от сверхпроводника того же состава с высокой физической плотностью (более 90% от теоретической). Для пористого сверхпроводника происходит значительная концентрация тока в области межгранульных границ, вызванная особенностями его микроструктуры. Вызываемое током увеличение эффективной протяженности границ приводит к уменьшению сжатия потока, уменьшению эффективного поля в межгранульной среде и сужению гистерезиса магнитосопротивления с ростом тока.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Физика твердого тела

Выпуск журнала: Т.56, 8

Номера страниц: 1492-1497

ISSN журнала: 03673294

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

Авторы

  • Балаев Д.А. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники Сибирского федерального университета, Красноярск, Россия)
  • Попков С.И. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники Сибирского федерального университета, Красноярск, Россия)
  • Шайхутдинов К.А. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники Сибирского федерального университета, Красноярск, Россия)
  • Петров М.И. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)
  • Гохфельд Д.М. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.