TECHNOLOGY OF MOLECULAR-RAY EPITAXIS FOR THE DEVICES OF NANOELECTRONICS : научное издание | Научно-инновационный портал СФУ

TECHNOLOGY OF MOLECULAR-RAY EPITAXIS FOR THE DEVICES OF NANOELECTRONICS : научное издание

Перевод названия: ТЕХНОЛОГИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Ключевые слова: technology of molecular-ray epistaxis, a one-dimensional periodically structure, молекулярно-лучевая эпитаксия, наноэлектроника, сверхтонкие слои, монокристаллы высокой частоты

Аннотация: Molecular beam epitasis helps to solve very important tasks, such as how to get single crystals of ultrahigh frequency, or a smooth faultless surface. Moreover, using molecular beam epitasis helps to obtain thin layers with a controlled quantity. С помощью молекулярно-лучевой эпитаксии решаются важнейшие задачи, такие как получение монокристаллов высокой чистоты, получение гладких бездефектных поверхностей, а также получение сверхтонких слоев с контролируемой толщиной.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Молодежь. Общество. Современная наука, техника и инновации

Выпуск журнала: 15

Номера страниц: 226-227

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева"

Авторы

  • Yurchenko K.A. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
  • Ovchinnikov S.G. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
  • Voytalyanova Ya.I. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.