Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2012
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий проводить эксперсс-контроль толщины и оптических постоянных структур в процессе роста. Проведена апробация алгоритма на структурах Fe/SiO2/Si(100), полученных в установке молекулярно-лучевой эпитаксии "Ангара". Значения толщин пленок, рассчитанные в ходе их роста, сравнены с данными рентгеноспектрального флуоресцентного анализа и просвечивающей электронной микроскопии.
Издание
Журнал: Журнал технической физики
Выпуск журнала: Т. 82, № 9
Номера страниц: 44-48
ISSN журнала: 00444642
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука
Персоны
- Тарасов И.А
- Косырев Н.Н.
- Варнаков С.Н.
- Овчинников С.Г.
- Жарков С.М.
- Швец В.А.
- Бондаренко С.Г.
- Терещенко О.Е. (Институт физики полупроводников СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия)
Вхождение в базы данных
- Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
- Список ВАК
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.