Развитие технологии получения и исследования пористого кремния | Научно-инновационный портал СФУ

Развитие технологии получения и исследования пористого кремния

Перевод названия: Development Technology of Creation and Research Porous Silicon

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2011

Ключевые слова: porous silicon, Silicon structures, Silicon technology, micro- and nanoelectronics, пористый кремний, кремниевые структуры, кремниевые технологии, микро- и наноэлектроника

Аннотация: Работа представляет собой обзор исследований, проведенных в рамках Федеральной целевой программы «Интеграция науки и высшего образования России» студентами и аспирантами под совместным научным руководством преподавателей кафедры «Приборостроение и наноэлектроника» и сотрудников института физики СО РАН в области одного из актуальных технологических направлений микро- и наноэлектроники - развитии технологии получения пористого кремния. Цель данных исследований состоит в разработке кремниевых материалов и структур, обладающих новыми стабильными свойствами, которые в ближайшем будущем позволят значительно расширить диапазон параметров существующих устройств современной микроэлектроники и будут способствовать созданию оригинальных приборов. Work represents the review of the researches spent within the limits of the Federal target program «Integration of a science and higher education of Russia» students and post-graduate students under a joint scientific management of teachers «Device designs and a nanoelectronics» department and employees of institute of physics of the Siberian Branch of the Russian Academy of Science in the field of actual technological directions micro- and nanoelectronics - development creation of porous silicon technology. The purpose of the given researches consists in working out of silicon materials and the structures possessing new stable properties which will allow to expand in the near future considerably a range of existing devices properties for modern microelectronics and which will promote creation of original devices.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал Сибирского федерального университета. Серия: Техника и технологии

Выпуск журнала: Т. 4, 1

Номера страниц: 92-112

ISSN журнала: 1999494X

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Сибирский федеральный университет

Авторы

  • Юзова В.А. (Сибирский федеральный университет)
  • Левицкий А.А. (Сибирский федеральный университет)
  • Харлашин П.А. (Сибирский федеральный университет)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.