Сибирский федеральный университет

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2023

Идентификатор DOI: 10.17223/00213411/66/12/4

Ключевые слова: dielectric substrate, microstrip resonator, bandpass filter, frequency response, диэлектрическая подложка, микрополосковый резонатор, полосно-пропускающий фильтр, амплитудно-частотная характеристика

Аннотация: Исследованы полуволновые и четвертьволновые микрополосковые резонаторы (МПР) с прямоугольным полосковым проводником, расщепленным с одного конца щелью. Построены эквивалентные схемы на индуктивных и емкостных элементах для нижайших трех мод колебаний этих резонаторов, а также фильтров третьего порядка на их основе. Показано, что амплитудно-частотные характеристики настроенных на одинаковую полосу пропускания фильтров на трехмодовых МПР и их эквивалентных схем хорошо согласуются друг с другом. Установлено, что изменением ширины и длины щели полоскового проводника в форме шпильки можно на одном МПР создавать устройства, полосу пропускания которых формируют резонансы двух, трех и даже четырех нижайших мод колебаний. Определены границы реализуемых относительных ширин полос пропускания сконструированных фильтров второго, третьего и четвертого порядков. Half-wave and quarter-wave microstrip resonators (MSRs) with a rectangular strip conductor split by a slot at one end have been investigated. Equivalent circuits based on inductive and capacitive elements for the lowest three oscillation modes of these resonators, as well as third-order filters based on them were constructed. It is shown that the frequency response of three-mode MPR filters tuned to the same passband match their equivalent circuits. It has been established that by changing the slot width and length of a strip pin-shaped conductor, it is possible to create devices on a single MSR, the passband of which is formed by the resonances of two, three, and even four lowest oscillation modes. The boundaries of the realized relative bandwidths of the designed filters of the second, third, and fourth order are determined.

Журнал: Известия вузов. Физика

Выпуск журнала: Т. 66, № 12

Номера страниц: 29-39

ISSN журнала: 00213411

Место издания: Томск

Издатель: Национальный исследовательский Томский государственный университет

• Беляев Борис Афанасьевич (Институт физики им. Л.В. Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН)
• Ходенков Сергей Александрович (Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева)
• Сержантов Алексей Михайлович (Сибирский федеральный университет)
• Говорун Илья Валерьевич (Институт физики им. Л.В. Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК