Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций
Конференция: Решетневские чтения; Красноярск; Красноярск
Год издания: 2023
Ключевые слова: тонкие магнитные пленки, силициды железа, дифракция электронов, слоистые структуры, спинтроника, германий, thin magnetic films, iron silicides, electron diffraction, layered structures, spintronics, germanium
Аннотация: Исследованы процессы эпитаксиального роста слоя Ge на Fe3Si/Si(111), полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии с последующим отжигом. Установлено, что после отжига при 380 °С аморфная пленка Ge трансформируется в монокристаллические островки. The epitaxial growth processes of a Ge layer on Fe3Si/Si(111) synthesized by molecular beam epitaxy with subsequent annealing have been studied. It has been established that after annealing at 380 °C the amorphous Ge film is transformed into single-crystalline islands.
Издание
Журнал: Решетневские чтения
Номера страниц: 591-593
Место издания: Красноярск
Персоны
- Кошелев А.А. (Сибирский федеральный университет)
- Яковлев И.А. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук - обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН)
- Варнаков С.Н. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук - обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН)
Вхождение в базы данных
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.