Сибирский федеральный университет 
Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций
Конференция: Решетневские чтения; Красноярск; Красноярск
Год издания: 2023
Ключевые слова: полупроводники, скорость носителей заряда, сильные электрические поля, semiconductors, drift velocity of charge carriers, strong electric fields
Аннотация: Рассмотрены основы СВЧ метода исследования дрейфовой скорости носителей заряда в полупроводниковых структурах. Результаты исследований могут быть использованы при создании элементной базы СВЧ диапазона для ракетно-космической отрасли. The article considers the microwave method for studying the drift velocity of charge carriers in semiconductor structures are considered. The results of the research can be used to create an element base of the microwave range for the rocket and space industry.
Издание
Журнал: Решетневские чтения
Номера страниц: 355-357
Место издания: Красноярск
Персоны
- Егоров Н.М. (Сибирский Федеральный университет)
- Левицкий А.А. (Сибирский Федеральный университет)
- Ситников А.М. (Сибирский Федеральный университет)
Вхождение в базы данных
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.