МЕТОДЫ И СРЕДСТВА ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК МАТЕРИАЛОВ В ГИГАГЕРЦОВОМ И ТЕРАГЕРЦОВОМ ДИАПАЗОНАХ | Научно-инновационный портал СФУ

МЕТОДЫ И СРЕДСТВА ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК МАТЕРИАЛОВ В ГИГАГЕРЦОВОМ И ТЕРАГЕРЦОВОМ ДИАПАЗОНАХ

Перевод названия: EXPERIMENTAL AND THEORETICAL INVESTIGATION OF EFFECT OF THE ARTIFICIAL TEXTURE IN SUBSTRATE ON THE HIGH-FREQUENCY PROPERTIES OF THIN MAGNETIC FILMS

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2013

Ключевые слова: artificial texture in substrate, magnetic films, Ferromagnetic resonance, numerical micromagnetic simulation, текстура подложки, тонкие магнитные пленки, ферромагнитный резонанс, микромагнитное моделирование

Аннотация: С помощью сканирующего спектрометра ферромагнитного резонанса (ФМР) получены экспериментальные зависимости резонансного поля и ширины линии ФМР тонких пермаллоевых магнитных пленок, осажденных в вакууме на подложки с искусственно созданной текстурой. Текстура получена нанесением алмазным резцом параллельных рисок на стеклянные подложки с периодичностью от 5 до 200 мкм. Обнаружено, что наличие текстуры приводит к существенному росту резонансного поля и ширины линии ФМР, когда внешнее поле направлено ортогонально рискам. На основе численного микромагнитного моделирования дано объяснение природы наблюдаемых в магнитных пленках эффектов. Using the scanning spectrometer of ferromagnetic resonance (FMR) the experimental dependences of the resonance field and FMR line width of thin permalloy magnetic films, which were deposited in vacuum on the substrate with an artificial texture, were obtained. The texture was produced by putting parallel grooves using a diamond cutter on glass substrates with period from 5 to 200 ?m. It was found that the presence of the texture was leading to an essential increase of th resonance field and FMR line width, when the external field was directed orthogonal to the grooves. On the base of a numerical micromagnetic simulation the explanation of nature of observable in thin magnetic films effects was given.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Известия высших учебных заведений. Физика

Выпуск журнала: Т. 56, 8-2

Номера страниц: 263-266

ISSN журнала: 00213411

Место издания: Томск

Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Национальный исследовательский Томский государственный университет

Авторы

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.