Влияние упругих напряжений на формирование структурных дефектов в полупроводниках | Научно-инновационный портал СФУ

Влияние упругих напряжений на формирование структурных дефектов в полупроводниках

Перевод названия: EFFECT OF ELASTIC STRESSES ON THE FORMATION OF STRUCTURAL DEFECTS IN SEMICONDUCTORS

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2013

Ключевые слова: structural defects, elastic constants, electron microscopy, semiconductors, структурные дефекты, упругие постоянные, электронная микроскопия, полупроводники

Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы закономерности образования структур- ных дефектов в полупроводниках CdTe, HgTe, ZnTe, ZnSe, ZnS, Si и GaAs. Установлено, что при одних и тех же условиях обработки в полупроводниках группы А2В6 образуются дефекты наибольших размеров и с более высо- кой плотностью по сравнению с Si и GaAs. При этом степень нарушений кристаллической решетки и интен-сивность дефектообразования убывает в следующей последовательности: от ZnS > ZnSe ? CdS > CdTe ?? HgTe > ZnTe > GaAs ? Si. Экспериментальные результаты объясняются на основе анализа упругих напря-жений, создаваемых в материале в результате образования структурных дефектов. The structural defects formation in semiconductors CdTe, HgTe, ZnTe, ZnSe, ZnS, Si and GaAs were investigated by method of transmission electron microscopy. It is found that the same processing conditions in semiconductors А2В6 defects are formed with largest dimensions and higher density as compared with Si and GaAs. The degree of crystallattice irregularities and defect formation intensity decreases in the following order of ZnS > ZnSe ? CdS > CdTe ?? HgTe > ZnTe to GaAs and Si. The experimental results are explained on the basis of analysis of the elastic stressesin the material generated as a result of the formation of structural defects.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева

Выпуск журнала: 2

Номера страниц: 198-200

ISSN журнала: 18169724

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Логинов Ю.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Мозжерин А.В. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Брильков А.В. (Сибирский федеральный университет)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.