Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2022
Идентификатор DOI: 10.31857/S0044451022090176
Аннотация: Были проведены исследованиятранспортных свойств МДП-структуры Fe/SiO2/n-Si в виде диода Шоттки на переменном токе в магнитных полях до 9 Тл. Обнаруженный сдвиг максимумов на температурных зависимостях действительной части импеданса в магнитном поле, сопровождаемый эффектом магнитоимпеданса (МИ), происходит только при определенной ориентации поля относительно плоскости образца. Выявлено, что МИ связан с перезарядкой примесных состояний. Были рассчитаны энергии ES примесных состояний в магнитном поле, а также в его отсутствии. Энергия примесных уровней нелинейно зависит от магнитного поляи может быть качественно описана в рамках теории гигантского эффекта Зеемана в разбавленных магнитных полупроводниках. Нельзя также исключать вклад других механизмов воздействия магнитного поля на транспорт в МДП-структурах на переменном токе и, в частности, на перезарядку примесных состояний, что требует дальнейшего исследования. Полученные результаты могут обеспечить более глубокое понимание природы магниторезистивных эффектов в полупроводниковых материалах и использоваться при разработке и создании новых устройств магнитоэлектроники.
Издание
Журнал: Журнал экспериментальной и теоретической физики
Выпуск журнала: Т. 162, № 3
Номера страниц: 432-439
ISSN журнала: 00444510
Место издания: Москва
Издатель: Российская академия наук, Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН
Персоны
- Смоляков Д.А. (Красноярский научный центр, Сибирское отделение Российской академии наук)
- Рауцкий М.В. (Красноярский научный центр, Сибирское отделение Российской академии наук)
- Бондарев И.А. (Красноярский научный центр, Сибирское отделение Российской академии наук)
- Яковлев И.А. (Красноярский научный центр, Сибирское отделение Российской академии наук)
- Овчинников С.Г. (Сибирский федеральный университет)
- Волков Н.В. (Красноярский научный центр, Сибирское отделение Российской академии наук)
- Тарасов А.С. (Сибирский федеральный университет)
Вхождение в базы данных
- Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
- Список ВАК
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.