ОЦЕНКА СТЕПЕНИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО КРИТИЧЕСКОМУ РАДИУСУ ДИСЛОКАЦИОННЫХ ПЕТЕЛЬ | Научно-инновационный портал СФУ

ОЦЕНКА СТЕПЕНИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО КРИТИЧЕСКОМУ РАДИУСУ ДИСЛОКАЦИОННЫХ ПЕТЕЛЬ

Перевод названия: ASSESSMENT OF THE DEGREEOF DEFECT FORMATIONIN A SEMICONDUCTORSON THE CRITICALRADIUS OF THEDISLOCATION LOOPS

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2013

Ключевые слова: transmission electron microscopy, Dislocation loops, the critical radius of the dislocation loops, stacking fault energy, просвечивающая электронная микроскопия, дислокационные петли, критический радиус дислокационной петли, энергия дефекта упаковки

Аннотация: Проведена оценка критического радиуса дислокационных петель (ДП) в монокристаллах полупроводников CdTe, ZnTe, ZnSe, ZnS, CdS, GaAs, Si и Ge с учетом величины энергии дефекта упаковки (ЭДУ). Распределение ДП по размерам изучали с помощью просвечивающего электронного микроскопа.Экспериментальные результаты сравнивались с теоретическими расчетами критических радиусов перехода частичных дислокационных петель в полные с учетом энергии образования дислокационных петель и энергии дефекта упаковки материалов. Показано, что критический радиус зависит от энергии дефекта упаковки и является важной характеристикой при анализе процессов дефектообразования в полупроводниках. Чем больше критический радиус ДП, тем менее стоек полупроводник к дефектообразованию и в нем происходит больше структурных нарушений при идентичных режимах воздействия (обработки). При этом размеры и плотность структурных дефектов в материалах при аналогичных условиях обработки зависят от величины энергии дефекта упаковки. The critical radius of the dislocation loops (DL) in single crystals of semiconductors CdTe, ZnTe, ZnSe, ZnS, CdS, GaAs, Si and Ge estimated taking into account the value of the stacking fault energy (SFE). Dislocation loops size distribution was studied using transmission electron microscopy. The experimental results were compared with theoretical calculations of the critical radius of partial dislocation loopstransition in full DL with the energy of dislocation loops formation and stacking fault energy of materials. It is shown that the critical radius depends on the stacking fault energy is an important feature in the analysis of defect formation processes in semiconductors. The more critical radius of the DL, the less resistant to the semiconductor defect formation and there is more structural imperfections in identical conditions of exposure (treatment). The dimensions and density of structural defects in materials with similar processing conditions depend on the stacking fault energy.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Фундаментальные исследования

Выпуск журнала: 8-5

Номера страниц: 1071-1074

ISSN журнала: 18127339

Место издания: Пенза

Издатель: Общество с ограниченной ответственностью "Издательский Дом "Академия Естествознания"

Авторы

  • Логинов Ю.Ю. (ФГБОУ ВПО«Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева»)
  • Мозжерин А.В. (ФГБОУ ВПО«Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева»)
  • Брильков А.В. (ФГАОУ ВПО «Сибирский федеральный университет»)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.