Формирование микродвойников в (001)-гетероэпитаксиальных слоях : научное издание | Научно-инновационный портал СФУ

Формирование микродвойников в (001)-гетероэпитаксиальных слоях : научное издание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 1996

Ключевые слова: физика твердых тел, микродвойники, гетероэпитаксиальные слои

Аннотация: Методами обычной просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии (ПЭМ и ВРЭМ) исследован ряд эпитаксиальных гетероструктур A2B6/(001)GaAs, имеющих напряжения растяжения в эпитаксиальном слое, сжатия и практически полную компенсацию напряжений несоответствия на границе слоя—подложка. Обнаружено, что в эпитаксиальных слоях ZnS/GaAs, (Cd,Zn)Te/GaAs и (Cd,Zn)S/GaAs наблюдается анизотропия в распределении таких характерных дефектов, как микродвойники, которые наблюдаются исключительно в проекции [1 10], а их распространение в эпитаксиальном слое хорошо объясняется на основе модели роста. В то же время наблюдение за начальной стадией двойникования в (Hg,Mn)Te позволяет предположить, что деформационные механизмы должны быть также учтены при описании первой стадии формирования микродвойников. Подчеркивается необходимость разделения процессов деформации и роста при образовании микродвойников.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Физика твердого тела

Выпуск журнала: Т. 38, 1

Номера страниц: 284-294

ISSN журнала: 03673294

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Авторы

  • Браун П.Д.
  • Логинов Ю.Ю. (Сибирский федеральный университет)
  • Стоббс У.М.
  • Хамфрейс К.Дж.

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.