A TEM STUDY OF THE INTERACTION OF SUBTHRESHOLD ELECTRON-BEAM INDUCED DEFECTS IN II-VI COMPOUNDS | Научно-инновационный портал СФУ

A TEM STUDY OF THE INTERACTION OF SUBTHRESHOLD ELECTRON-BEAM INDUCED DEFECTS IN II-VI COMPOUNDS

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 1991

Идентификатор DOI: 10.1002/pssa.2211270108

Аннотация: The nature and density of secondary microstructural defects produced within 100 keV electron beam irradiated CdTe, ZnS, and ZnSe is shown to be independent of intensity and only dependent on total flux, while the rate of defect formation increases linearly with increasing beam intensity. The susceptibility to both ion milling and electron beam irradiation damage varies in order ZnS > ZnSe > CdTe. An estimate of the time for charge relaxation of a multiple ionised CdTe anion is (2 to 6) x 10(-14) s. The interaction of generated point defects with native dislocations leads to the production of dipole structures.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH

Выпуск журнала: Vol. 127, Is. 1

Номера страниц: 75-86

ISSN журнала: 00318965

Место издания: BERLIN

Издатель: AKADEMIE VERLAG GMBH

Авторы

  • Loginov Y.Y. (Department of Physics, Krasnoyarsk State University)
  • Brown P.D.
  • Thompson N.

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.