The Insulator Band Structure and In-Gap States in Weakly Doped La2-xSrxCuO4 : научное издание | Научно-инновационный портал СФУ

The Insulator Band Structure and In-Gap States in Weakly Doped La2-xSrxCuO4 : научное издание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 1993

Идентификатор DOI: 10.1080/00150199308008629

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Ferroelectrics

Выпуск журнала: Т. 144, 1

Номера страниц: 91-94

ISSN журнала: 00150193

Издатель: Gordon and Breach Science Publishers

Авторы

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.