Oсобенность взаимосвязи электронных и магнитных свойств втсп-купратов, обусловленная ближним антиферромагнитным порядком | Научно-инновационный портал СФУ

Oсобенность взаимосвязи электронных и магнитных свойств втсп-купратов, обусловленная ближним антиферромагнитным порядком

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2010

Аннотация: Приводятся результаты измерений анизотропного электросопротивления монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников RBa2Cu3O6+x (R=Tm,Lu) в широком интервале уровней допирования, свидетельствующие о нетривиальном влиянии магнитного порядка на электронные свойства купратов. В частности, полученные данные наглядно демонстрируют кроссовер от состояния с умеренной анизотропией электросопротивления рс/раb ~ 30 к сильноанизотропному состоянию с рс/раb ~ 7-103 как по мере понижения температуры, так и по мере уменьшения концентрации дырок в плоскостях СиО2. Показано также, что величина анизотропии чувствительна к магнитному состоянию плоскостей СиОг и достигает максимума при установлении дальнего антиферромагнитного порядка. Результаты обсуждаются в рамках теории, основанной на t-t'-t"-J*-момодели слоев СиО2 с учетом сильных электронных корреляций и ближнего магнитного порядка. В этой теории демонстрируются аномалии спиновых корреляторов и топологии поверхности Ферми при критической концентрации дырок р* ? 0.24. Концентрационная зависимость энергии носителей тока показывает при р р* частичное подавление энергии, обусловленное появлением псевдощели. Данная теория объясняет как экспериментально обнаруженную чувствительность анизотропии проводимости к установлению антиферромагнитного порядка, так и отсутствие аномалий в температурной зависимости сопротивления раь(Т) в окрестности температуры Нееля.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал экспериментальной и теоретической физики

Выпуск журнала: Т. 138, 1

Номера страниц: 115-125

ISSN журнала: 00444510

Место издания: Москва

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"

Авторы

  • Овчинников С.Г. (Сибирский федеральный университет)
  • Коршунов M.М. (Department of Physics, University of Florida, Gainesville)
  • Козеева Л.П. (Институт неорганической химии им. A.B. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Лавров А.Н. (Институт неорганической химии им. A.B. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.