Взаимодействие золота с полупроводниковыми материалами | Научно-инновационный портал СФУ

Взаимодействие золота с полупроводниковыми материалами

Перевод названия: Interaction of gold with semi-conducting materials

Тип публикации: монография

Год издания: 2006

Ключевые слова: радиоэлектроника, радиотехника, Радиотехнические материалы и изделия, Полупроводниковые материалы и изделия, свойства

Аннотация: Приведен анализ и обобщены экспериментальные данные по взаимодействию золота с элементарными полупроводниками (золото-германий, золото-кремний, золото-селен), а также с полупроводниковыми соединениями АIIIBV и АIIBVI. Приведены сведения о диффузии, электропроводности, фотопроводимости, явлениях смачивания. Рассмотрены физико-химические процессы на границе раздела металл-проводник, микроструктура контактной области и ее влияние на электрические свойства и термодинамическую стабильность контактов. Ряд сведений о взаимодействии золота с полупроводниковыми материалами получен в лабораториях Института металлургии УрО РАН и Красноярского государственного университета.?Материал представляет интерес для научных работников и специалистов, работающих в области производства полупроводниковых приборов, для преподавателей вузов при подготовке курса лекций и студентов соответствующих специальностей. Experimental data on interaction of gold mith elemental semiconductors (gold-germanium, gold-silicon and gold-selenium) and also with semiconductor compounds AIIIBV and AIIBVI are summarized. Data on diffusion, electric conductivity, photoconduction and the phenomena of wetting are presented. The physicochemical pricesses at a metal-semiconductor interface, microsrtucture of contact area and its influence on electrical properties and thermal stability of contacts are considered. Some information on interaction of gold with semiconductor materials has been obtained in laboratories of the Institute of Metallurgy, UB RAS, and of Krasnoyarsk State University.?The material is of interest for scientists and experts engaged in production of semiconductor devices, for lecturers of higher education institutes and for students of corresponding specialties.

Ссылки на полный текст

Издание

Место издания: Екатеринбург

Издатель: Учреждение Российской академии образования "Уральское отделение"

Персоны

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.