Перевод названия: Pulling Rate Assignment of Siliconium Monocrystals Growing
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2010
Ключевые слова: скорость вытягивания, монокристалл кремния, осевой градиент, silicon monocrystal, pulling set
Аннотация: Предложена математическая модель формирования скорости вытягивания на установке выращивания монокристаллов кремния по способу Чохральского, которая позволяет автоматизировать процесс ввода программного задания скорости в микропроцессорную систему управления. Mathematical expression was offered to form pulling set on silicon monocrystal growing system by Czochralski which allows to automate the process of introduction of programmed set of speed in microprocessor control system.
Издание
Журнал: Мехатроника, автоматизация, управление
Выпуск журнала: № 8
Номера страниц: 37-39
ISSN журнала: 16846427
Место издания: Москва
Издатель: Общество с ограниченной ответственностью Издательство Новые технологии
Персоны
- Саханский С.П. (Сибирский государственный аэрокосмический университет)
Вхождение в базы данных
- Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
- Список ВАК
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.