TEM STUDY OF THE FORMATION OF STRUCTURAL DEFECTS IN ION-IMPLANTED SILICON AT DEPTHS OF H LESS-THAN-OR-EQUAL-TO RBARP AND H GREATER-THAN-OR-EQUAL-TO 2RBARP | Научно-инновационный портал СФУ

TEM STUDY OF THE FORMATION OF STRUCTURAL DEFECTS IN ION-IMPLANTED SILICON AT DEPTHS OF H LESS-THAN-OR-EQUAL-TO RBARP AND H GREATER-THAN-OR-EQUAL-TO 2RBARP

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 1990

Идентификатор DOI: 10.1002/pssa.2211180113

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH

Выпуск журнала: Vol. 118, Is. 1

Номера страниц: 117-129

ISSN журнала: 00318965

Место издания: BERLIN

Издатель: AKADEMIE VERLAG GMBH

Авторы

  • LOGINOV Y.Y. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • LENCHENKO V.M. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • BROWN P.D. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • WOODS J. (KRASNOYARSK STATE UNIV)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.