Восстановление структурного совершенства CdTe и ZnTe, бомбардированных ионами низких энергий, в результате подпорогового электронного облучения | Научно-инновационный портал СФУ

Восстановление структурного совершенства CdTe и ZnTe, бомбардированных ионами низких энергий, в результате подпорогового электронного облучения

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 1995

Аннотация: Методами просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии (ПЭМ и ВРЭМ) исследуются процессы устранения дислокационных петель, предварительно введенных бомбардировкой ионами Ar+ с энергиями 3--5 keV в CdTe и ZnTe, при последующем облучении электронами с подпороговыми энергиями. Обнаружено, что облучение электронами сопровождается сокращением дислокационных петель в ионно-бомбардированных образцах, в то время как обычный термоотжиг приводит к их росту (коагуляции). Процесс ускоряется с повышением температуры облучения in situ в ПЭМ выше 200o C, хотя этот феномен наблюдается и при низкой температуре (173 K). Установлено, что плоскостями залегания петель могут быть \110\ и \111\ с возможными векторами Бюргерса a/2110 и a/6112 в CdTe и a/2110 и a/3111 в ZnTe. Процессы, инициированные электронным облучением, протекают быстрее в CdTe, чем в ZnTe, что объясняется различием в энергиях дефекта упаковки. Результаты интерпретируются на основе ионизационного подпорогового механизма дефектообразования.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Физика твердого тела

Выпуск журнала: Т. 37, 6

Номера страниц: 1703-1712

ISSN журнала: 03673294

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Изд-во "Наука"

Авторы

  • Логинов Ю.Ю. (Красноярский государственный университет)
  • Лу Г. (Красноярский государственный университет)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.