Artefacts within ion beam milled semiconductors | Научно-инновационный портал СФУ

Artefacts within ion beam milled semiconductors

Тип публикации: статья из журнала (материалы конференций, опубликованные в журналах)

Конференция: Institute-of-Physics Electron-Microscopy-and-Analysis-Group Conference; UNIV BIRMINGHAM, BIRMINGHAM, ENGLAND; UNIV BIRMINGHAM, BIRMINGHAM, ENGLAND

Год издания: 1995

Аннотация: The artefact structures remnant within electron transparent semiconductor foils arising from ion beam milling procedures are illustrated and recipes for their inhibition or removal given. Although iodine reactive ion sputtering is effective for the removal of argon ion induced extrinsic dislocation loops from the surfaces of low stacking fault energy II-VI compounds and indium surface particles from (In,Ga)(As,P)-based compounds, iodine is found to be retained within weakly bonded semiconductors.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: ELECTRON MICROSCOPY AND ANALYSIS 1995

Выпуск журнала: Vol. 147

Номера страниц: 393-396

ISSN журнала: 09513248

Место издания: BRISTOL

Издатель: IOP PUBLISHING LTD

Авторы

  • Brown P.D. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • Loginov Y.Y. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • Boothroyd C.B. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • Humphreys C.J. (KRASNOYARSK STATE UNIV)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.