Сибирский федеральный университет

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2014

Идентификатор DOI: 10.7868/S0207352814010077

Аннотация: Собрана установка для измерения MEE-эффекта путем фиксации (измерения) амплитуды колебания намагниченности образца в ходе его переполяризации, вызванной приложением переменного напряжения к обкладкам образца. На монокристаллическом образце Ga2 - xFexO3 проведены измерения температурной зависимости MEE-эффекта при различных значениях внешнего магнитного поля H от 0.25 до 1 кЭ в диапазоне температур от 77.4 до 280 К. Обнаружено, что эффект пропадает при достижении температуры Кюри. Измерен гистерезис магнитоэлектрического эффекта, связанный с гистерезисом намагниченности.

Журнал: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования

Выпуск журнала: № 1

Номера страниц: 20-23

ISSN журнала: 02073528

Место издания: Москва

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

• Балаев А.Д. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН)
• Фрейдман А.Л. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК