Сибирский федеральный университет

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2002

Аннотация: Предложена конструкция резонансного перестраиваемого по частоте высокочувствительного микрополоскового датчика и проведены исследования дисперсии диэлектрической проницаемости жидких кристаллов из двух гомологических серий: алкилцианобифенилов (7CB, 8CB) и алкилоксицианобифенилов (7OCB, 8OCB) в диапазоне частот 100-900 MHz. Показано, что диэлектрические спектры описываются суммой дебаевского релаксационного процесса и диэлектрических резонансов, обнаруженных на частотах f~160, 280, 360, 450, 550 и 650 MHz. Установлено, что диэлектрические резонансы присутствуют в спектрах всех исследованных образцов как в нематической, так и в изотропной фазе. Показано, что замещение в молекулах жидких кристаллов (серия nCB) атома углерода на атом кислорода (серия nOCB) не оказывает заметного влияния на частоты диэлектрических резонансов, но приводит к изменению интенсивности резонансов и к расщеплению отдельных резонансных линий.

Журнал: Журнал технической физики

Выпуск журнала: Т. 72, № 4

Номера страниц: 99-102

ISSN журнала: 00444642

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

• Беляев Б.А. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия)
• Дрокин Н.А. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия)
• Шабанов В.Ф. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия)
• Шепов В.Н. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК