Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2008
Аннотация: Из экспериментальных спектров характеристических потерь энергии отраженных электронов в тонких пленках системы FexSi1-x(0= x= 1) вычислены произведения средней длины неупругого пробега на дифференциальное поперечное сечение неупругого рассеяния электронов. Предложен новый подход для количественного анализа содержания компонентов композитной среды. PACS: 82.80.Dx
Издание
Журнал: Письма в Журнал технической физики
Выпуск журнала: Т. 34, № 9
Номера страниц: 41-48
ISSN журнала: 03200116
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука
Персоны
- Паршин А.С. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
- Александрова Г.А. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
- Долбак А.Е. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
- Пчеляков О.П. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
- Ольшанецкий Б.З. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
- Овчинников С.Г. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
- Кущенков С.А. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
Вхождение в базы данных
- Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
- Список ВАК
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.