Control of point defects in semiconductors | Научно-инновационный портал СФУ

Control of point defects in semiconductors

Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Конференция: Symposium on Microstructure of Irradiated Materials, at the 1994 MRS Fall Meeting; BOSTON, MA; BOSTON, MA

Год издания: 1995

Ключевые слова: Annealing, Decomposition, Defects, Electric fields, Electron beams, Ion beams, Ion implantation, Microstructure, Semiconducting cadmium compounds, Semiconducting zinc compounds, Semiconductor doping, Transmission electron microscopy, Coalesce, Controlled directional climb, Electron beam irradiation, Interstitials, Ion beam irradiation, Metallic precipitates, Point defect control, Semiconductor materials

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Microstructure of irradiated materials

Выпуск журнала: Vol. 373

Номера страниц: 529-534

ISSN журнала: 02729172

Место издания: Pittsburgh

Издатель: Materials Research Soc

Авторы

  • Loginov Y.Y. (Krasnoyarsk Univ)
  • Brown P.D. (Krasnoyarsk Univ)
  • Humphreys C.J. (Krasnoyarsk Univ)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.