Tem investigation of point defect interactions in II-VI compounds | Научно-инновационный портал СФУ

Tem investigation of point defect interactions in II-VI compounds

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 1995

Ключевые слова: Electron beams, Fermi level, Interfaces (materials), Irradiation, Point defects, Semiconductor doping, Transmission electron microscopy, Zinc sulfide, Electron beam irradiation, Semiconducting cadmium telluride, Semiconducting zinc sulfide, Semiconducting cadmium compounds

Аннотация: Analysis of the decomposition products of 400KeV electron beam irradiated undoped, Cu-doped and In-doped CdTe demonstrates how dopant species influence the processes of secondary defect formation. The tendency for initial formation of cadmium oxides suggests preferential anion removal leading to accelerated oxidation. Electron beam irradiation of ZnS acts to remove extrinsic dislocation loops residual from argon ion milling, in advance of void formation. The migration of point defect clusters within electron beam irradiated ZnS and the evolution of electron beam induced damage in the presence of defects and interfaces are described.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Proceedings of the 1995 18th International Conference on Defects in Semiconductors, ICDS-18. Part 1 (of 4) (23 July 1995 through 28 July 1995, Sendai, Jpn

Выпуск журнала: Vol. 196-201, Is. pt 3

Номера страниц: 1461-1466

Авторы

  • Loginov Yuri Y. (Krasnoyarsk Univ, Russian Federation)
  • Brown Paul D. (Krasnoyarsk Univ, Russian Federation)
  • Humphreys Colin J. (Krasnoyarsk Univ, Russian Federation)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.