Сибирский федеральный университет

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2010

Аннотация: Теоретически исследованы особенности комбинационного (рамановского) усиления пробного излучения в трехуровневых атомах, помещенных в дефект одномерного фотонного кристалла, в присутствии лазерного излучения (накачки) на высокочастотном смежном переходе. Показано, что существует область интенсивностей излучения накачки, в которой в спектре пропускания и отражения пробного поля одновременно возникают узкие пики (резонансы). Вне этой области пик в пропускании превращается в узкий провал. Спектральное положение этих пиков определяется комбинационным резонансом, а коэффициенты пропускания и отражения могут быть больше единицы при интенсивности излучения накачки от единиц мкВт/см2 до десятков мВт/см2. Природа узких пиков обусловлена резкой дисперсией нелинейного показателя преломления вблизи комбинационного резонанса, которая приводит к значительному уменьшению групповой скорости пробного излучения. Предложенная схема позволяет получать управляемые сверхузкие резонансы в спектрах пропускания и отражения фотонного кристалла.

Журнал: Журнал экспериментальной и теоретической физики

Выпуск журнала: Т. 138, № 6

Номера страниц: 1018-1027

ISSN журнала: 00444510

Место издания: Москва

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"

• Архипкин В.Г. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
• Мысливец С.А. (Сибирский федеральный университет)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК