TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY INVESTIGATIONS OF II-VI/GAAS HETEROSTRUCTURES | Научно-инновационный портал СФУ

TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY INVESTIGATIONS OF II-VI/GAAS HETEROSTRUCTURES

Тип публикации: статья из журнала (материалы конференций, опубликованные в журналах)

Конференция: International Conference on I-VI Compounds and Related Optoelectronic Materials; NEWPORT, RI; NEWPORT, RI

Год издания: 1994

Идентификатор DOI: 10.1016/0022-0248(94)90865-6

Аннотация: Defect microstructures within heteroepitaxial layers may be categorized according to whether they arise due to problems at the epilayer/substrate interface, are introduced during growth itself or are due to some inherent materials problem. Examples taken from II-VI/GaAs systems showing interface reaction, lattice relaxation, banding due to compositional variations at the growth front and dimorphism are described.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

Выпуск журнала: Vol. 138, Is. 1-4

Номера страниц: 538-544

ISSN журнала: 00220248

Место издания: AMSTERDAM

Издатель: ELSEVIER SCIENCE BV

Авторы

  • BROWN P.D. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • LOGINOV Y.Y. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • MULLINS J.T. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • DUROSE K. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • BRINKMAN A.W. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • HUMPHREYS C.J. (KRASNOYARSK STATE UNIV)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.