Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ : научное издание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2014

Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий на основании однозонных эллипсометрических измерений в процессе роста тонких полупроводниковых пленок решать обратную задачу эллипсометрии с целью определения показателя поглощения. Методика основана на анализе изменения эллипсометрических параметров Psi и Delta непосредственно в процессе роста. Апробация алгоритма проведена в процессе синтеза структур Si/SiO2/Si(100) и Hg1-xCdxTe.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал технической физики

Выпуск журнала: Т. 84, № 5

Номера страниц: 109-112

ISSN журнала: 00444642

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

Персоны

Косырев Н.Н.
Швец В.А.
Михайлов Н.Н.
Варнаков С.Н.
Овчинников С.Г.
Рыхлицкий С.В.
Яковлев И.А. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия)

Вхождение в базы данных

Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
Список ВАК

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.