ВЛИЯНИЕ МЕЖСЛОЙНОГО ТУННЕЛИРОВАНИЯ НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ ДВУХСЛОЙНЫХ КУПРАТОВ и КВАНТОВЫЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ ПО КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ И СИЛЬНОМУ МАГНИТНОМУ ПОЛЮ : научное издание | Научно-инновационный портал СФУ

ВЛИЯНИЕ МЕЖСЛОЙНОГО ТУННЕЛИРОВАНИЯ НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ ДВУХСЛОЙНЫХ КУПРАТОВ и КВАНТОВЫЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ ПО КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ И СИЛЬНОМУ МАГНИТНОМУ ПОЛЮ : научное издание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2011

Аннотация: Работа является теоретическим исследованием электронной структуры двухслойных ВТСП-купратов и ее эволюции с допированием и под действием сильного магнитного поля. Исследование проводится на основе t-t'-t"-J*-модели в рамках обобщенного приближения Хартри-Фока. Возможность туннелирования между СиСЬ-слоями учтена в виде ненулевого интеграла перескока между орбиталями соседних плоскостей и включена в схему кластерной формы теории возмущений. Основным эффектом связи между двумя СиСЬ-слоями в элементарной ячейке является двухслойное расщепление, заключающееся в наличии антисвязывающей и связывающей зон, образованных комбинацией идентичных зон самих слоев. Изменение уровня допирования вызывает перестройку зонной структуры и поверхности Ферми, в связи с чем наблюдается ряд квантовых фазовых переходов. Сильное внешнее магнитное поле приводит к принципиально иному виду электронной структуры. В поле квантовые фазовые переходы наблюдаются не только с допированием, но и с варьированием величины поля. Вследствие межслойного туннелирования квантовые фазовые переходы также расщепляются, в результате появляется более сложная последовательность переходов Лифшица, чем в однослойных купратах.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал экспериментальной и теоретической физики

Выпуск журнала: Т. 139, 2

Номера страниц: 334-350

ISSN журнала: 00444510

Место издания: Москва

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

Персоны

  • Овчинников С.Г. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. ?. Ф. Решетнева)
  • Макаров И.А. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Шнейдер Е.И. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. ?. Ф. Решетнева)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.