Издание
Журнал: Journal of Applied Physics
Выпуск журнала: Т. 109, № 3
Номера страниц: 033904-6
ISSN журнала: 00218979
Издатель: American Institute of Physics
Персоны
- Gokhfeld D.M. (L. V. Kirensky Institute of Physics SB RAS)
- Balaev D.A. (L. V. Kirensky Institute of Physics SB RAS)
- Petrov M.I. (L. V. Kirensky Institute of Physics SB RAS)
- Popkov S.I. (L. V. Kirensky Institute of Physics SB RAS)
- Shaykhutdinov K.A. (L. V. Kirensky Institute of Physics SB RAS)
- Val'Kov V.V. (L. V. Kirensky Institute of Physics SB RAS)
Вхождение в базы данных
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.