Reversible UV induced metal-semiconductor transition in In 2O3 thin films prepared by autowave oxidation : научное издание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2014

Идентификатор DOI: 10.1088/0268-1242/29/8/082001

Журнал: Semiconductor Science and Technology

Выпуск журнала: Т. 29, № 8

Номера страниц: 082001

ISSN журнала: 02681242

Издатель: Institute of Physics and IOP Publishing Limited

Tambasov I.A. (Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences)
Maygkov V.G. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
Tarasov A.S. (Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences)
Ivanenko A.A. (Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences)
Bykova L.E. (Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences)
Nemtsev I.V. (Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences)
Eremin E.V. (Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences)
Yozhikova E.V. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.