Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2011
Идентификатор DOI: 10.1134/S1063783411020247
Аннотация: The concentration dependence of the entropy of doped Mott-Hubbard insulators has been considered within the t-J model. It has been shown that a change in the type and statistics of charge carriers as compared to the Fermi gas leads to a radical change in the entropy s, in particular, to the giant growth of the entropy upon doping. The quantity a,s/a,x a parts per thousand k (B) is approximately consistent with the experimental data for HTSC cuprates in the pseudogap phase.
Издание
Журнал: PHYSICS OF THE SOLID STATE
Выпуск журнала: Vol. 53, Is. 2
Номера страниц: 299-302
ISSN журнала: 10637834
Место издания: NEW YORK
Издатель: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER
Персоны
- Ovchinnikov S.G. (Siberian Federal University)
- Sidorov K.A. (Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch,Russian Academy of Sciences)
- Shneyder E.I. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
Вхождение в базы данных
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.