ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ ГРАФИТИЗИРОВАННЫХ НАНОТУБУЛЕНОВ В СЛОЕ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ | Научно-инновационный портал СФУ

ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ ГРАФИТИЗИРОВАННЫХ НАНОТУБУЛЕНОВ В СЛОЕ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ

Перевод названия: TECHNOLOGY OF GRAPHITIC NANOTUBULENES FORMATION IN THE POROUS ANODIC ALUMINA

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2013

Ключевые слова: активное молекулярное сито, carbon nanotube, Porous anodic alumina, functionally active materialactive nanomembrane, active molecular sieve, углеродная нанотрубка, пористый анодный оксид алюминия, функционально активный материал, активная наномембрана

Аннотация: Описывается оригинальная технология покрытия графитовыми слоями внутренних стенок пор в пластине анодного оксида алюминия. Для синтеза графитизированного углерода при низких температурах (от 500 °С) использован процесс осаждения из газовой фазы с применением оригинального катализатора, предварительно внедренного в поры. Исследована морфология полученных структур, а также показано, что графит, осажденный на стенки пор оксида алюминия, формирует цилиндирическую трубку - нанотубулен. Обсуждаются возможности использования полученных структур в качестве функционально активных элементов различного назначения, например, наномембран с управляемыми транспортными свойствами, элементов наноэлектроники и др. The paper describes the original coating technology of covering the inner walls of the pores with the graphite layers in the anodic aluminum oxide plate. For the synthesis of graphitizing carbon at low temperatures (500 °C) the deposition process from the gas phase was used, with the use of the original catalyst pre-embedded in the pores. The morphology of the resulting structures is investigated and it is shown that the carbon deposited on the pore walls of the alumina forms the cylindrical tube - nanotubulene. The possibility of use of the resulting structures as functionally active elements for various purposes, such as nanomembranes with controlled transport properties, and other elements of nanoelectronics, is discussed.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева

Выпуск журнала: 3

Номера страниц: 228-231

ISSN журнала: 18169724

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Хартов С.В. (Красноярский научный центр СО РАН)
  • Симунин М.М. (Красноярский научный центр СО РАН)
  • Фадеев Ю.В. (Сибирский федеральный университет)
  • Немцев И.В. (Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН)
  • Зырянов В.Я. (Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.