Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций
Год издания: 2009
Идентификатор DOI: 10.1109/EDM.2009.5173938
Издание
Журнал: International Workshop and Tutorials on Electron Devices and Materials, EDM - Proceedings
Номера страниц: 92-95
Место издания: Novosibirsk
Персоны
- Atuchin V.V. (Institute of Semiconductor Physics,SB RAS)
- Gavrilova T.A. (Institute of Semiconductor Physics,SB RAS)
- Kesler V.G. (Institute of Semiconductor Physics,SB RAS)
- Molokeev M.S. (Laboratory of Crystal Physics,Institute of Physics,SB RAS)
- Alexandrov K.S. (Laboratory of Crystal Physics,Institute of Physics,SB RAS)
Вхождение в базы данных
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.