ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В СУЛЬФИДЕ ЦИНКА ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ЕГО В КОСМИЧЕСКОЙ ТЕХНИКЕ | Научно-инновационный портал СФУ

ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В СУЛЬФИДЕ ЦИНКА ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ЕГО В КОСМИЧЕСКОЙ ТЕХНИКЕ

Перевод названия: THE STRUCTURAL Defect FORMATION in zinc sulfide used in space technology

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2014

Ключевые слова: zinc sulfide, semiconductor materials, transmission electron microscopy, сульфид цинка, полупроводниковые материалы, просвечивающая электронная микроскопия

Аннотация: Рассмотрены особенности дефектообразования в сульфиде цинка (ZnS), который используется для создания люминофоров, полупроводниковых лазеров, а также для детекторов регистрации ионизирующего излучения. Однако данный материал имеет невысокое значение энергии дефекта упаковки (ЭДУ), что говорит о быстром росте дефектной сети и деградации материала при работе в неблагоприятных условиях. The specific features of structural defect formation in zinc sulfide (ZnS) used to create luminophores, semiconductor lasers and detectors for registration of ionizing radiation are discussed. However, this material has a low value of the stacking fault energy (SFE) and it indicates the rapid growth of the defect network and material degradation when operating in adverse conditions.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 1, 18

Номера страниц: 475-476

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Логинов Ю.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Мозжерин А.В. (Сибирский федеральный университет)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.