Сибирский федеральный университет

Перевод названия: THE INFLUENCE OF MONOCRYSTALS GROWTH CONDITIONS ON CARRYING OVER AND ACCUMULATION OF IMPURITY ATOMS IN A GROWING CRYSTAL

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2009

Ключевые слова: impurity atoms, melt, crystal, grows conditions, примесные атомы, расплав, кристалл, условия роста

Аннотация: Потоки примесных атомов (ПА) на каждом из участков 0 х 1 системы «расплав - растущий кристалл» представлены в виде выражения j « aC(0)-bC(l), в котором а иЪ определены через скорости переноса ПА (конвективную - ос, дрейфовую - urf и термодиффузионную - uj соответственно в расплаве - (af Ъ), в кристалле -(а, Ъ), а также на границе раздела фаз - (а. Ъ ). Из условия квазистационарности процесса роста найдены коэффициенты распределения концентраций ПА на каждом из участков и определен общий коэффициент рас- Cs Cl . Полученное выражение пределения ПА между объемом расплава и охлаждаемой частью растущего слитка K для К позволяет анализировать влияние режимов роста (скорости вытягивания слитка - и , градиента температур (через uj и силовых полей (через xJ) на перенос и накопление ПА в растущем кристалле. Streams of impurity atoms on each of sites 0xl of border between melt and a growing crystal are submitted as expression j « aC (O) -bC(l) in which a and b are determined through convective и, drift u, and thermal-diffusion и speeds of carry of impurity atoms accordingly in a melt (a, b), in a crystal (a, b), and also on border of the unit of phases (asf bj. From a condition of quasistationary process of growth the distribution coefficient of impurity atoms concentration on each of sites are found and the general distribution coefficient of impurity atoms between melt volume and a cooled part of a growing ingot K C is determined. The received expression for K allows to analyze influence of modes of growth (speed of a crystal grows uc, a gradient of temperatures (through uq) and force fields (through ud)) on carry and accumulation of impurity atoms in a growing crystal.

Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева

Выпуск журнала: № 4

Номера страниц: 120-124

ISSN журнала: 18169724

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

• Логинов Ю.Ю.
• Ленченко В.М.
• Мозжерин А.В.

• РИНЦ (eLIBRARY.RU)