Технологический процесс изготовления активных устройств ферромагнетик/кремний и их транспортные свойства : научное издание | Научно-инновационный портал СФУ

Технологический процесс изготовления активных устройств ферромагнетик/кремний и их транспортные свойства : научное издание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2021

Идентификатор DOI: 10.31857/S1028096021010106

Ключевые слова: silicon on insulator, transistor, Shottky barrier, electronic lithography, nanowire, reactive ion etching, electronic transport, кремний-на-изоляторе, транзистор, барьер Шоттки, электронная литография, нанопроволока, реактивно-ионное травление, электронный транспорт

Аннотация: Полупроводниковые нанопроволоки представляют собой уникальные материалы для изучения явлений на наноуровне, а возможность формирования кремниевых нанонитей в нисходящем процессе с использованием объемных подложек кремния-на-изоляторе (КНИ) дает этой технологии возможность полного внедрения в интегрированные электронные системы. Помимо всего прочего, использование ферромагнитных контактов в сочетании с хорошим качеством границ ферромагнетик–полупроводник открывают перспективы применения таких структур для использования в устройствах спинтроники, в частности при проектировании спинового транзистора. Продемонстрирован простой подход к созданию активных устройств на основе полупроводниковых нанопроволок, а именно полевых транзисторов Шоттки с нижним затвором и металлическим (Fe) истоком и стоком, синтезированных на подложке КНИ, а также получены их транспортные характеристики. Semiconductor nanowires represent unique materials for studying nanoscale phenomena, and the possibility of forming silicon nanowires in a downstream process using bulk silicon on insulator (SOI) substrates allows this technology to be fully integrated into electronic systems. Among other things, the use of ferromagnetic contacts in combination with the good quality of the ferromagnetic–semiconductor interfaces open up prospects for the use of such structures in spintronics devices, in particular, in designing a spin transistor. A simple approach to creating active devices based on semiconductor nanowires, namely, Schottky field-effect transistors with a lower gate and a metal (Fe) source and drain, synthesized on a SOI substrate, is demonstrated, and their transport characteristics are obtained.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования

Выпуск журнала: 1

Номера страниц: 74-79

ISSN журнала: 10280960

Место издания: Москва

Издатель: Российская академия наук, Институт физики твердого тела РАН

Авторы

  • Лукьяненко А. В. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет)
  • Тарасов А. С. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет)
  • Шанидзе Л. В. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет)
  • Волочаев М. Н. (Институт физики им. Л.В. Киренского, Федеральный исследовательский центр КНЦ СО РАН)
  • Зеленов Ф. В. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет)
  • Яковлев И. А. (Институт физики им. Л.В. Киренского, Федеральный исследовательский центр КНЦ СО РАН)
  • Бондарев И. А. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет)
  • Волков Н. В. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.