ВЛИЯНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПРОСЛОЙКИ НА ОБМЕННОЕ СМЕЩЕНИЕ В ТРЕХСЛОЙНЫХ ПЛЕНКАХ CoNi/Si/FeNi : доклад, тезисы доклада | Научно-инновационный портал СФУ

ВЛИЯНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПРОСЛОЙКИ НА ОБМЕННОЕ СМЕЩЕНИЕ В ТРЕХСЛОЙНЫХ ПЛЕНКАХ CoNi/Si/FeNi : доклад, тезисы доклада

Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Конференция: ХХII Всероссийская научно-техническая конференция с международным участием, посвященная 125-й годовщине Дня радио "Современные проблемы радиоэлектроники"; Красноярск; Красноярск

Год издания: 2020

Аннотация: Ионно-плазменным распылением синтезированы пленочные структуры CoNi/Si/FeNi/Si. Проведены температурные и полевые исследования магнитных свойств пленочных структур с различной толщиной кремния. Обнаружена зависимость формы петли намагничивания от толщины полупроводниковой прослойки, зависимость знака поля смещения от температуры и толщины кремниевой прослойки.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Современные проблемы радиоэлектроники

Номера страниц: 306-310

Издатель: Сибирский федеральный университет

Авторы

  • Живая Я.А. (Сибирский федеральный университет)
  • Патрин Геннадий Семенович (Сибирский федеральный университет)
  • Сибирский федеральный университет

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.