Магнитооптический эффект Фарадея в пленках Ni-Ge: зависимость от толщины слоев Ge и режима отжига | Научно-инновационный портал СФУ

Магнитооптический эффект Фарадея в пленках Ni-Ge: зависимость от толщины слоев Ge и режима отжига

Перевод названия: The Magnetooptical Faraday Effect in Ni-Ge Films: the Dependence on the Ge Layers Thickness and the Annealing Regime

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2009

Ключевые слова: Ni-Ge films, Faraday effect, the interface of a magnetic metal and a semiconductor, Ni-Ge пленки, эффект Фарадея, интерфейс магнитного металла- полупроводника

Аннотация: Экспериментально исследованы магнитооптический эффект Фарадея (ЭФ) в двухслойных и многослойных пленках Ni-Ge и его изменения при ступенчатом отжиге, а также морфология поверхности пленок. Обнаружены обратно пропорциональная линейная зависимость ЭФ от тол- щины промежуточного слоя Ge в многослойных пленках и резкое уменьшение поля магнитного насыщения в них по сравнению с двухслойными пленками Ni-Ge. Возрастание ЭФ при первом отжиге и постепенное уменьшение при последующих связывается со взаимной диффузией ком- понент пленок. The Faraday magnetooptical effect (FE) of bi-layer and multilayer Ni-Ge films and its changes at stepped annealing, as well as the films surface morphology were experimentally investigated. Inverse linear dependence of FE on the intermediate Ge layer thickness in multilayer films, and strong decrease of the saturation field in these films were revealed. The FE increase at the first annealing and gradual decrease at the next annealing were explained by mutual diffusion of the film components.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал Сибирского федерального университета. Серия: Математика и физика

Выпуск журнала: Т. 2, 3

Номера страниц: 376-383

ISSN журнала: 19971397

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Сибирский федеральный университет

Авторы

  • Черниченко Ангелина В. (Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН)
  • Марущенко Дмитрий А. (Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН)
  • Турпанов Игорь А. (Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН)
  • Гребенькова Юлия Э. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет)
  • Мельников Павел Н. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.